合金靶材的濺射原理：
對濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，最終形成薄膜。
濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數(shù)之一。 濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈沖濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度 鍍膜氛圍（低壓氣體氛圍）基片溫度 激光器功率 脈沖頻率 濺射時間 對于不同的濺射材料和基片，最佳參數(shù)需要實驗確定，是各不相同的，鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。
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